分子束外延法制备电流注入GaAs-AlxGa1-xAs多量子阱异质结构激光器

任大翠译; 张兴德校

高级检索

ISSN 1001-3806CN 51-1125/TN 网站地图

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

分子束外延法制备电流注入GaAs-AlxGa1-xAs多量子阱异质结构激光器

任大翠译 , 张兴德校

文章导航 > 激光技术 > 1982 > 6(5): 54-56,31

引用本文:

Citation:

分子束外延法制备电流注入GaAs-AlxGa1-xAs多量子阱异质结构激光器

1.
长春光机学院

摘要: 本文报导了用分子束外延法制备的低电流阈值室温注入GaAs-AlxGa1-xAs多量子阱(MQW)激光器。在脉冲电流注入情况下,在阈值观察到了属于n=1的电子-轻空穴(1e-lh)约束粒子跃迁的受激辐射。在阈值以上,包含n=1的电子-重空穴跃迁(1e-hh)的受激辐射变为优势。对于这些大面积MQW激光器,还观察到单纵模运转。热沉温度在8到100℃之间,1e-hh跃迁的受激电流阈值Ith随温度以指数形式:Ith∝exp(T/T0)变化,其中T0=230°K。

[1]	朱天雄 , 贾华宇 , 李灯熬 , 罗飚 , 刘应军 , 田彦婷 . AlGaInAs/InP应变补偿多量子阱激光器. 激光技术, 2017, 41(5): 654-658. doi: 10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2017.05.007
[2]	郭婧 , 谢生 , 毛陆虹 , 郭维廉 . GaAs/AlGaAs环形激光器的量子阱结构优化. 激光技术, 2015, 39(5): 654-657. doi: 10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2015.05.014
[3]	曹三松 . 单模AlGaAs／GaAs脊形波导量子阱半导体激光器. 激光技术, 1996, 20(3): 177-181.
[4]	马养武 , 黄霖 . 分子波导激光器的光电流效应研究. 激光技术, 1992, 16(2): 110-116.
[5]	任杰 , 洪治 , 张明 . 新型分步合成法制备的P567固态染料可调谐激光器. 激光技术, 2004, 28(1): 52-54.
[6]	邹福清 . 氯化氙准分子激光器产生1kw平均功率. 激光技术, 1993, 17(4): 208-208.
[7]	罗军 , 朱正吼 , 刘勇 . 激光重熔法制备Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9纳米晶块材. 激光技术, 2005, 29(6): 594-595,614.
[8]	郭振华 , F. K. Tittel , J. Liegel . 电子束纵向泵浦准分子激光器装置参数的测量. 激光技术, 1987, 11(2): 23-29,66.
[9]	陈海波 , 胡素梅 , 高英俊 . 光量子阱结构束缚态对介电常数和厚度的响应. 激光技术, 2010, 34(1): 37-40. doi: 10.3969/j.issn.1001-3806.2010.01.011
[10]	王向武 , 张兴德 , 任大翠 , 杨海泉 . 分别限制异质结激光器的特性研究. 激光技术, 1989, 13(5): 11-14.
[11]	王向武 , 张兴德 , 任大翠 , 王玲 . 分别限制异质结半导体激光器. 激光技术, 1988, 12(2): 27-29.
[12]	郭建强 , 蓝信矩 . 一种结构新颖的调Q注入锁定非稳腔Nd：YAG激光器的技术研究. 激光技术, 1990, 14(1): 1-5.
[13]	崔文超 , 郭瑞民 , 王德发 , 董贺伟 . 分布反馈激光器温度与电流控制研究. 激光技术, 2019, 43(4): 437-441. doi: 10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2019.04.001
[14]	石浩天 , 江佩璘 , 张意 , 黄强 , 孙军强 . 锗硅非对称耦合量子阱相位调制器特性的研究. 激光技术, 2023, 47(5): 587-591. doi: 10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2023.05.002
[15]	时光 , 梅林 , 高劲松 , 张立超 , 张玲花 . 离子束溅射、热舟和电子束法制备深紫外LaF3薄膜. 激光技术, 2013, 37(5): 592-595. doi: 10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2013.05.007
[16]	陈传忠 , 王佃刚 , 边洁 . 激光法制备纳米粉体的研究现状. 激光技术, 2003, 27(1): 68-70.
[17]	任大翠 . 大光腔AlGaAs掩埋异质结窗口激光器. 激光技术, 1983, 7(4): 36-39.
[18]	王向武 , 张兴德 , 任大翠 . 分别限制异质结可见光半导体激光器. 激光技术, 1994, 18(4): 194-197.
[19]	杨培根 . 高功率分子激光器. 激光技术, 1988, 12(1): 43-47.
[20]	杨培根译 , 张凤英校 . 准分子激光器. 激光技术, 1979, 3(4): 40-52.

点击查看大图

计量

文章访问数: 2290
HTML全文浏览量: 472
PDF下载量: 215
被引次数: 0

分子束外延法制备电流注入GaAs-AlxGa1-xAs多量子阱异质结构激光器

1. 长春光机学院

网络出版日期: 1982-09-25

摘要: 本文报导了用分子束外延法制备的低电流阈值室温注入GaAs-AlxGa1-xAs多量子阱(MQW)激光器。在脉冲电流注入情况下,在阈值观察到了属于n=1的电子-轻空穴(1e-lh)约束粒子跃迁的受激辐射。在阈值以上,包含n=1的电子-重空穴跃迁(1e-hh)的受激辐射变为优势。对于这些大面积MQW激光器,还观察到单纵模运转。热沉温度在8到100℃之间,1e-hh跃迁的受激电流阈值Ith随温度以指数形式:Ith∝exp(T/T0)变化,其中T0=230°K。

English Abstract

全文HTML

下载: 全尺寸图片幻灯片

返回文章

用微信扫码二维码

分享至好友和朋友圈

地址：成都市武侯区人民南路四段7号（成都238信箱）邮政编码：610041 电话：028-68011091/68011046 Email： jgjs@vip.163.com, jgjs@sina.com

本系统由北京仁和汇智信息技术有限公司开发技术支持： info@rhhz.net

留言板

分子束外延法制备电流注入GaAs-AlxGa1-xAs多量子阱异质结构激光器

计量

出版历程

分子束外延法制备电流注入GaAs-AlxGa1-xAs多量子阱异质结构激光器

English Abstract

全文HTML

目录