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偏转角为180°的电子束蒸发装置的阴极溅射

岳泷坤译 黄君兰校

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偏转角为180°的电子束蒸发装置的阴极溅射

  • 摘要: 在电子束真空镀膜中,应用得最多的要算ESQ-300,ESV-6和УЭЛИ型偏转电子束蒸发器.电子束的偏转一方面不会增大蒸发器的尺寸,另一方面可使阴极从蒸发区中移出,免受蒸发材料分子流的沾污.在ESV-6,УЭЛИ-1型电子束蒸发器中,电子束偏转180°,阴极蒸发物通过阳极孔落到基片上,这就污染了膜层.
  • [1] 张大伟李国华 . 混浊介质180°后向散射特性参数测定系统的原理. 激光技术, 2003, 27(2): 110-112.
    [2] 丁方 . 电子束蒸发源的膜料蒸气密度分布函数. 激光技术, 1983, 7(4): 41-41.
    [3] 任豪曾群庞振华周应恒梁锡辉 . 电子束蒸发制备掺钕钇铝石榴石薄膜特性研究. 激光技术, 2012, 36(4): 450-452. doi: 10.3969/j.issn.1001-806.2012.04.005
    [4] 郭振华F. K. TittelJ. Liegel . 电子束纵向泵浦准分子激光器装置参数的测量. 激光技术, 1987, 11(2): 23-29,66.
    [5] 周九林张苑颜清华周明 . 低能电子束辅助蒸镀的初步实验. 激光技术, 1986, 10(2): 26-29.
    [6] . 用半导体激光器扫描的新型电子束器件作大屏幕电视投影装置. 激光技术, 1981, 5(2): 65-65.
    [7] 时光梅林高劲松张立超张玲花 . 离子束溅射、热舟和电子束法制备深紫外LaF3薄膜. 激光技术, 2013, 37(5): 592-595. doi: 10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2013.05.007
    [8] 杨之昌吴选红 . 电子束泵浦的KrF激光介质的动力学过程分析. 激光技术, 1994, 18(2): 123-128.
    [9] 赵永蓬王骐刘金成 . 电子束泵浦参数对氩第3谱带的影响. 激光技术, 2003, 27(2): 137-139.
    [10] 黄克玉译王先预校 . 电子束泵浦的重复脉冲半导体激光器. 激光技术, 1987, 11(5): 15-16.
    [11] 知仁译辽江校 . 电子束分辨全息图. 激光技术, 1983, 7(3): 62-62.
    [12] 浦树德译汪建设校 . 溅射薄膜的特点. 激光技术, 1985, 9(6): 17-22.
    [13] 吴自遐何玮 . 调Q激光蒸发金属靶中快电子信号随光强的变化. 激光技术, 1988, 12(1): 15-19.
    [14] 傅裕寿王春奎方慧英 . 电子束控制放电CO2激光器及其应用. 激光技术, 1984, 8(4): 7-13.
    [15] 吴福全黄家寅封太忠李国华 . 90°分束偏光镜光强分束比研究. 激光技术, 1994, 18(5): 310-312.
    [16] 赵培李国华 . 90°转向复合延迟器件的研制. 激光技术, 2004, 28(4): 424-426.
    [17] 任真樊则宾李俊昌邴小林李兴华 . 精密测量微小转角的数字全息方法及应用. 激光技术, 2012, 36(6): 798-801. doi: 10.3969/j.issn.1001-3806.2012.06.021
    [18] 曹鸿张传军王善力褚君浩 . 磁控溅射制备Zr膜的应力研究. 激光技术, 2012, 36(6): 742-744. doi: 10.3969/j.issn.1001-3806.2012.06.008
    [19] 王海林 . Moire偏转技术(MD)检测相位物体的研究. 激光技术, 1989, 13(3): 1-6.
    [20] 贺安之余桂英倪晓武范华英 . 用于动态散斑记录的GB8°黑白电影胶片及其处理. 激光技术, 1992, 16(4): 215-217.
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出版历程
  • 刊出日期:  1983-03-25

偏转角为180°的电子束蒸发装置的阴极溅射

摘要: 在电子束真空镀膜中,应用得最多的要算ESQ-300,ESV-6和УЭЛИ型偏转电子束蒸发器.电子束的偏转一方面不会增大蒸发器的尺寸,另一方面可使阴极从蒸发区中移出,免受蒸发材料分子流的沾污.在ESV-6,УЭЛИ-1型电子束蒸发器中,电子束偏转180°,阴极蒸发物通过阳极孔落到基片上,这就污染了膜层.

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