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ISSN1001-3806CN51-1125/TN 网站地图

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激光短讯

水清译 学谦校

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激光短讯

  • 摘要: 美国无线电公司对300千兆赫硅崩越二极管的注入损伤进行激光退火研究(IEEE Trans.Microwave Theory Tech.,MTT-30,P.47,1982)。这是离子注入损伤激光退火实际应用的第一批范例之一。2.日本富土通公司进行以氩离子激光器在二氧化硅上产生外延生长硅的研究(Appl.Phys,Lett.,41,64,1982)。
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出版历程
  • 收稿日期:  1982-10-06
  • 刊出日期:  1983-05-25

激光短讯

摘要: 美国无线电公司对300千兆赫硅崩越二极管的注入损伤进行激光退火研究(IEEE Trans.Microwave Theory Tech.,MTT-30,P.47,1982)。这是离子注入损伤激光退火实际应用的第一批范例之一。2.日本富土通公司进行以氩离子激光器在二氧化硅上产生外延生长硅的研究(Appl.Phys,Lett.,41,64,1982)。

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