GaAs-Si技术取得进展

邹福清译; 邹声荣校

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GaAs-Si技术取得进展

邹福清译 , 邹声荣校

文章导航 > 激光技术 > 1989 > 13(1): 38-38

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GaAs-Si技术取得进展

摘要: 福特微电子公司和福特宇航公司成功地演示了采用GaAs-Si材料制做光伏型碲镉汞(HgCdTe)探测器和全功能大规模集成(LSI)数字电路。这种LSI数字电路是一种504个门电路阵,每个达到90%门电路利用率,即大约6600个晶体管。

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