F+离子注入BaF2薄膜的光学性质

曾论; 周明; 赵西南; 文雪冬

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F+离子注入BaF2薄膜的光学性质

曾论 , 周明 , 赵西南 , 文雪冬

文章导航 > 激光技术 > 1989 > 13(3): 50-52

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F+离子注入BaF2薄膜的光学性质

1.
西南技术物理研究所

作者简介: 曾论,男,1962年出生.工程师.现从事离子注入和半导体光电器件研究;周明,男,1963年出生.硕士.现从事光学薄膜器件的研究. ;曾论,男,1962年出生.工程师.现从事离子注入和半导体光电器件研究;周明,男,1963年出生.硕士.现从事光学薄膜器件的研究. .

The optical property of BaF2 film implanted by F+ ion

1.
Southwest Institute of Technical physics

摘要: 本文报导了F+离子注入对BaF2薄膜的光学性质的影响,实验观察到了离子注入引起的薄膜的透过率谱的变化,在一定温度下退火可以使这种变化消除。
Abstract: The experiment results of the effect of ion implantation of F+ on the optical property of BaF2 film were reported. The change of transparent spectrum induced by ion implantation was observed, and it can be eliminated by annealing at certain temperature.

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