TW-SLA AR膜剩余反射率实时监控新方法

黄菊仙; 刘德明; 黄德修

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TW-SLA AR膜剩余反射率实时监控新方法

黄菊仙 , 刘德明 , 黄德修

文章导航 > 激光技术 > 1992 > 16(2): 76-80

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TW-SLA AR膜剩余反射率实时监控新方法

1.
华中理工大学光学系武汉
基金项目:
国家“863”计划资助项目

A new method of monitoring the in-situ residual reflectivity of antireflection coating

1.
Huazhong University of Science and Technology

摘要: 介绍一种实时监控行波半导体激光放大器(TW-SLA)抗反膜(AR)超低剩余反射率的新方法。从理论和实验上分析了剩余反射率与SLA的输出光功率关系及温度对其输出功率的影响。在1.3μm InGaAsP/InP掩埋异质结(BH)激光二极管(LD)上镀单层SiOx或SiOx1/SiOx2膜获得了低于5×10-4的超低反射率。
Abstract: A new method of monitoring the in-situ extremely low residual reflectivity of antireflection (AR) coating of travelling-wave semiconductor laser amplifier (TW-SLA) is presented. The relations among the residual reflectivity, temperature and the output power of SLA are analyzed theoretically and experimentally. Minimum reflectivity less than 5×10-4 can be realized by means of using a 1.3μm InGaAsP/InP buried-hetero-structure (BH) laser diode coated with single-layer SiOx or double-lager SiOx1/SiOx2 film.

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TW-SLA AR膜剩余反射率实时监控新方法

1. 华中理工大学光学系武汉

收稿日期: 1991-08-13
网络出版日期: 1992-03-25

基金项目: 国家“863”计划资助项目

摘要: 介绍一种实时监控行波半导体激光放大器(TW-SLA)抗反膜(AR)超低剩余反射率的新方法。从理论和实验上分析了剩余反射率与SLA的输出光功率关系及温度对其输出功率的影响。在1.3μm InGaAsP/InP掩埋异质结(BH)激光二极管(LD)上镀单层SiOx或SiOx1/SiOx2膜获得了低于5×10-4的超低反射率。