迅速发展的LCVD技术

王庆亚; 张玉书

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迅速发展的LCVD技术

王庆亚 , 张玉书

文章导航 > 激光技术 > 1994 > 18(3): 161-168

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迅速发展的LCVD技术

1.
吉林大学电子工程系集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区, 长春, 130023

作者简介: 王庆亚,男,1968年出生。博士。现主要从事Lcvn技术的薄膜生长及其质量的研究工作。张玉书,男,1938年出生。教授。研究方向半导体光电子学,现主要从事准分子激光微细加工技术研究工作。;王庆亚,男,1968年出生。博士。现主要从事Lcvn技术的薄膜生长及其质量的研究工作。张玉书,男,1938年出生。教授。研究方向半导体光电子学,现主要从事准分子激光微细加工技术研究工作。.

Rapid developing LCVD technology

1.
The Department of Electronics&Engineering of Jilin University, Jilin Univ.Division of Integrated Photoelectronics Union Lab.

摘要: 超低阈值电流的InGaAs激光二极管记录的低阈值电流—在原解理面InGaAs/AlGaAs激光器中为1mA,在镀高反射膜InGaAs/AlGaAs激光器中脉冲电流为0.25mA—在单量子阱结构中已经获得。
- LCVD /
- 金属膜 /
- 电介质膜 /
- 半导体膜 /
- 光化学反应
Abstract: In This paper,the development process and the application of LCVD technology in growing the metal film,dielectric film and semiconductor film in during the past ten years are reviewed.With this technology,not only the conventional de-vices can get the excellent electronic features because of low growth temperature,but also the new structure materials and new devices can be manufactured for using the high accurate thickness control.The wide application prospect of LCVD technology is described here.
- LCVD /
- metalic film /
- dielect film /
- semiconductor film /
- photo-chemi-cal decomposition

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