亮暗衬线法校正邻近效应及其实验研究

杜惊雷; 粟敬钦; 姚军; 张怡霄; 高福华; 杨丽娟; 崔铮

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ISSN 1001-3806CN 51-1125/TN 网站地图

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亮暗衬线法校正邻近效应及其实验研究

杜惊雷 , 粟敬钦 , 姚军 , 张怡霄 , 高福华 , 杨丽娟 , 崔铮

文章导航 > 激光技术 > 2000 > 24(4): 213-217

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亮暗衬线法校正邻近效应及其实验研究

1.
四川大学物理系, 成都, 610064;
2.
Central Microstructure Facility, Rutherford Appleton Laboratory, Chilton, Didcot, OX11 0QX, U K

作者简介: 杜惊雷,男,1964年出生.副教授,博士.从事信息光学、波前工程、激光、全息防伪等方面的研究..

基金项目:
微细加工光学技术国家重点实验室基金;国家自然科学基金;教育部博士点基金资助

Bright and dark figure method for OPC and its experimental research

1.
Department of Physics, Sichuan University, Chengdu, 610064;
2.
Central Microstructure Facility, Rutherford Appleton Laboratory, Chilton, Didcot, OX11 0QX, U K

摘要: 光学光刻中的邻近效应校正是实现亚微米光刻的必要手段。作者基于波前加工的思想,提出亚分辨亮暗衬线结合辅助线条实现邻近效应校正的方法,分析了其校正机理,采用这种新方法,在可加工0.7μm光刻图形的I线投影曝光装置上加工出了0.5μm的光刻图形,取得了较好的实验结果,并与其它邻近效应的校正方法进行了比较。
- 邻近效应 /
- 光学邻近校正 /
- 亚微米光刻
Abstract: Optical proximity correction is an effective and essential tool in submicron photolithography.In this paper,based on the theory of wavefront engineering,we presente a new correction method to reduce proximity effects by adding bright and dark figure or feature on the mask and analyzing the mechanism for correcting proximity effect.Some 0.5μm features have been got by using the new correction method in a I line projection system which can only fabricate 0.7μm figure without OPC.The satisfied experiment results are obtained and the advantages or disadvantages are discussed by using different OPC method.
- proximity effects /
- OPC /
- ubmicron photolithography

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亮暗衬线法校正邻近效应及其实验研究

作者简介: 杜惊雷,男,1964年出生.副教授,博士.从事信息光学、波前工程、激光、全息防伪等方面的研究.

1. 四川大学物理系, 成都, 610064;
2. Central Microstructure Facility, Rutherford Appleton Laboratory, Chilton, Didcot, OX11 0QX, U K

收稿日期: 1999-08-26
网络出版日期: 2000-07-25

基金项目: 微细加工光学技术国家重点实验室基金;国家自然科学基金;教育部博士点基金资助

关键词:

摘要: 光学光刻中的邻近效应校正是实现亚微米光刻的必要手段。作者基于波前加工的思想,提出亚分辨亮暗衬线结合辅助线条实现邻近效应校正的方法,分析了其校正机理,采用这种新方法,在可加工0.7μm光刻图形的I线投影曝光装置上加工出了0.5μm的光刻图形,取得了较好的实验结果,并与其它邻近效应的校正方法进行了比较。