垂直腔面发射激光器新型结构的特性比较

朱文军; 郭霞; 廉鹏; 邹德恕; 高国; 沈光地

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垂直腔面发射激光器新型结构的特性比较

朱文军 , 郭霞 , 廉鹏 , 邹德恕 , 高国 , 沈光地

文章导航 > 激光技术 > 2003 > 27(4): 325-327

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垂直腔面发射激光器新型结构的特性比较

1.
北京工业大学光电子技术实验室, 北京, 100022

作者简介: 朱文军,男,1974年3月出生.博士研究生.主要从事垂直腔面发射半导体激光器的研究..

基金项目:
国家自然科学基金;国家重点基础研究与发展规划项目;北京市科委高科技资助项目
中图分类号: TN248.1

Characteristics comparison of a novel vertical-cavity surface-emitting laser

1.
Optoelectronic Technology Laboratory, Beijing Polytechnic University, Beijing, 100022
CLC number: TN248.1

摘要: 通过对一种微分量子效率可以大于1的新型多有源区隧道再生应变量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)结构,以及由此设计出的阈值电流更小、输出功率更大的器件与普通结构在反射率及注入电流都相同的条件下输出功率大小的比较及阈值电流密度大小的比较,从而在理论上证实了这种VCSELs新型结构的优势。
- 多有源区 /
- 隧道再生 /
- VCSELs /
- DBR反射率
Abstract: A novel multiple-active-region tunneling regenerated strained-quantum-well vertical-cavity surface-emitting laser(VCSEL),whose differential quantum efficiency is larger than unity and whose performance is expected to be improved,especially the threshold current is expected to be reduced and the output power is expected to be increased,was designed.Then the output power,threshold current of the novel structure and those of the traditional structure were compared under the conditions of the same reflectivity and injected current.So the advantages of the novel structure have been proved in theory.
- iple-active-region /
- tunneling regenerated /
- vertical-cavity surface-emitting lasers(VCSELs) /
- DBR reflectivity

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垂直腔面发射激光器新型结构的特性比较

作者简介: 朱文军,男,1974年3月出生.博士研究生.主要从事垂直腔面发射半导体激光器的研究.

1. 北京工业大学光电子技术实验室, 北京, 100022

收稿日期: 2002-04-27
录用日期: 2002-09-27
网络出版日期: 2003-07-25

基金项目: 国家自然科学基金;国家重点基础研究与发展规划项目;北京市科委高科技资助项目

关键词:

摘要: 通过对一种微分量子效率可以大于1的新型多有源区隧道再生应变量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)结构,以及由此设计出的阈值电流更小、输出功率更大的器件与普通结构在反射率及注入电流都相同的条件下输出功率大小的比较及阈值电流密度大小的比较,从而在理论上证实了这种VCSELs新型结构的优势。