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集成场效应晶体管光调制

蒋锐 ,  曹三松

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文章导航 > 激光技术  > 2004 >  28(2): 120-120
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集成场效应晶体管光调制

  • 摘要: 为了进一步发展Si光集成电路,卡塔亚大学、CNRIMM卡塔亚分公司、ST微电子公司和CNRIMM那波里分公司的研究人员们已经开发出一个硅基质光调制器,该调制器包括一个场效应晶体管。该晶体管和一个10μm宽硅波导一起集成在一个硅片上。调制器的光通道垂直于电通道内。当控制电极加上一个偏压,就可以将载流子等离子体移进或移出光通道。在通道中时,Si吸收了更多的光。发射光谱显示在不同的偏压下等离子体的分布(等离子体本身也会发射光,使之形状更显而易见)。计算机模拟与试验观察结果一致,通过注入10mA电流,输入电压在-10V～+10V之间变化,便可以获得调制。调制深度可以达到75%。
      Key words:
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出版历程
  • 刊出日期:  2004-03-25

集成场效应晶体管光调制

  • 1. 
  • 网络出版日期: 2004-03-25

摘要: 为了进一步发展Si光集成电路,卡塔亚大学、CNRIMM卡塔亚分公司、ST微电子公司和CNRIMM那波里分公司的研究人员们已经开发出一个硅基质光调制器,该调制器包括一个场效应晶体管。该晶体管和一个10μm宽硅波导一起集成在一个硅片上。调制器的光通道垂直于电通道内。当控制电极加上一个偏压,就可以将载流子等离子体移进或移出光通道。在通道中时,Si吸收了更多的光。发射光谱显示在不同的偏压下等离子体的分布(等离子体本身也会发射光,使之形状更显而易见)。计算机模拟与试验观察结果一致,通过注入10mA电流,输入电压在-10V～+10V之间变化,便可以获得调制。调制深度可以达到75%。

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