GaN基激光器光增益和内部光损耗的测量

金春来; 胡晓东; 王琦; 张振生; 章蓓

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GaN基激光器光增益和内部光损耗的测量

金春来 , 胡晓东 , 王琦 , 张振生 , 章蓓

文章导航 > 激光技术 > 2005 > 29(3): 284-286

引用本文:

Citation:

GaN基激光器光增益和内部光损耗的测量

1.
北京大学, 物理学院, 人工微结构和介观物理国家重点实验室, 北京, 100871;
2.
北京大学, 宽禁带半导体研究中心, 北京, 100871

作者简介: 金春来(1980- ),男,硕士,现从事半导体光电子方面的研究..

通讯作者: 胡晓东, huxd@pku.edu.cn ;

基金项目:
国家八六三计划资助项目(2001AA313110);国家自然科学基金资助项目(60276010);北京市科技计划资助项目(H030430020230)
中图分类号: TN248.4

Measurement of optical gain and optical internal loss in GaN-based laser

1.
State Key Laboratory for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics, Department of Physics, Peking University, Beijing 100871, China;
2.
Research Center for Wide Gap Semiconductors, Peking University, Beijing 100871, China

Corresponding author: HU Xiao-dong, huxd@pku.edu.cn ;

CLC number: TN248.4

摘要: 采用变条长方法实验测量了GaN基短波长激光器样品的放大自发发射谱,确定了样品的光增益和光损失系数,并发现了样品中存在着严重的光增益饱和的现象。证实了变条长方法对于研究GaN基短波长激光器性能的可行性。进一步比较了两种不同结构的激光器样品在增益和增益饱和方面的性能差别,同时指出样品外延时生成的裂纹,可能是造成这一差别的原因。
- 放大的自发发射谱 /
- 变条长方法 /
- 光损耗 /
- 光增益 /
- 增益饱和
Abstract: To assess the performance of a semiconductor laser,knowledge of gain and loss at a known pumping level is essential.Both the gain and the loss coefficients were obtained through analyzing amplified spontaneous emission (ASE) measured with variable stripe length (VSL) method,and serious gain saturation phenomenon was observed in the process.The results confirm the feasibility of the VSL method in studying the performance of GaNLD samples.Performance of LDs with two different structures in gain and gain saturation were compared through VSL method,and the reason that leads to the differen ce was discussed.
- amplified spontaneous emission /
- variable strip elength method /
- optical loss /
- optical gain /
- gain saturation

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GaN基激光器光增益和内部光损耗的测量

通讯作者: 胡晓东, huxd@pku.edu.cn;

作者简介: 金春来(1980- ),男,硕士,现从事半导体光电子方面的研究.

1. 北京大学, 物理学院, 人工微结构和介观物理国家重点实验室, 北京, 100871;
2. 北京大学, 宽禁带半导体研究中心, 北京, 100871

收稿日期: 2004-05-08
录用日期: 2004-06-01
网络出版日期: 2005-05-25

基金项目: 国家八六三计划资助项目(2001AA313110);国家自然科学基金资助项目(60276010);北京市科技计划资助项目(H030430020230)

关键词:

摘要: 采用变条长方法实验测量了GaN基短波长激光器样品的放大自发发射谱,确定了样品的光增益和光损失系数,并发现了样品中存在着严重的光增益饱和的现象。证实了变条长方法对于研究GaN基短波长激光器性能的可行性。进一步比较了两种不同结构的激光器样品在增益和增益饱和方面的性能差别,同时指出样品外延时生成的裂纹,可能是造成这一差别的原因。