光学相干层析成像用于微机电系统测量研究

秦玉伟

doi:10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2013.05.022

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光学相干层析成像用于微机电系统测量研究

秦玉伟

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光学相干层析成像用于微机电系统测量研究

秦玉伟

1.
渭南师范学院物理与电气工程学院, 渭南 714000

作者简介: 秦玉伟(1979- ),男,讲师,博士,主要研究方向为光电检测与传感器技术。E-mail:qinyuwei@163.com.

基金项目:
陕西省教育厅科学研究计划资助项目(12JK0672;12JK0514);渭南市自然科学基础研究计划资助项目(2011KYJ-3;2012KYJ-7)
中图分类号:
TN247

Study on micro-electromechanical system measurement using optical coherence tomography

QIN Yu-wei

1.
School of Physics and Electrical Engineering, Weinan Normal University, Weinan 714000, China
CLC number:
TN247

摘要: 为了对硅V型槽的结构进行测量,采用热光源谱域光学相干层析成像法,进行了理论分析和实验验证,取得了硅V型槽的1维深度和2维层析图像,获得了硅V型槽的深度、上部宽度和底部宽度数据分别为145.38m,212m和32m。结果表明,该测量结果与扫描电子显微镜测量值基本一致。这对微机电系统结构测量是有帮助的。
- 测量与计量 /
- 结构 /
- 光学相干层析成像 /
- 微机电系统
Abstract: In order to measure the structure of V-shaped silicon grooves, a thermal light spectral-domain optical coherence tomography was introduced. After the theoretical analysis and the experimental verification, 1-D depth image and 2-D cross-sectional image of V-shaped silicon grooves were obtained. Depth of 145.38m, top width of 212m and bottom width of 32m were gotten. The measured data was the same as the measured result of scanning electron microscope. The results are helpful for the measurement of micro-electromechanical system.
- measurement and metrology /
- structure /
- optical coherence tomography /
- micro-electromechanical system

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光学相干层析成像用于微机电系统测量研究

秦玉伟

作者简介: 秦玉伟(1979- ),男,讲师,博士,主要研究方向为光电检测与传感器技术。E-mail:qinyuwei@163.com

1. 渭南师范学院物理与电气工程学院, 渭南 714000

收稿日期: 2012-11-27
录用日期: 2012-12-18
网络出版日期: 2013-09-25

基金项目: 陕西省教育厅科学研究计划资助项目(12JK0672;12JK0514);渭南市自然科学基础研究计划资助项目(2011KYJ-3;2012KYJ-7)

关键词:

摘要: 为了对硅V型槽的结构进行测量,采用热光源谱域光学相干层析成像法,进行了理论分析和实验验证,取得了硅V型槽的1维深度和2维层析图像,获得了硅V型槽的深度、上部宽度和底部宽度数据分别为145.38m,212m和32m。结果表明,该测量结果与扫描电子显微镜测量值基本一致。这对微机电系统结构测量是有帮助的。